RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 1302000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.67 грн |
| 6000+ | 1.52 грн |
| 9000+ | 1.29 грн |
| 30000+ | 1.12 грн |
| 75000+ | 1.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.
Інші пропозиції RE1C002UNTCL за ціною від 1.9 грн до 19.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 26038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 290332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 35097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 0.15W; SC89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 3155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 1302110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 0.15W; SC89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.4A Power dissipation: 0.15W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 8159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 26038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
товар відсутній |