RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.94 грн |
| 6000+ | 2.57 грн |
| 9000+ | 2.43 грн |
| 15000+ | 2.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RE1C001ZPTL за ціною від 2.03 грн до 21.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RE1C001ZPTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
на замовлення 20716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -400mA; 0.15W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -100mA Pulsed drain current: -400mA Power dissipation: 0.15W Case: SC89 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD |
на замовлення 3058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -400mA; 0.15W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -100mA Pulsed drain current: -400mA Power dissipation: 0.15W Case: SC89 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3058 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|