RD3U060CNTL1

RD3U060CNTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3U060CNTL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RD3U060CNTL1 за ціною від 38.59 грн до 115.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3U060CNTL1 RD3U060CNTL1 Виробник : ROHM datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.41 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+80.42 грн
500+ 61.79 грн
1000+ 45.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3U060CNTL1 RD3U060CNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.68 грн
10+ 82.95 грн
100+ 64.52 грн
500+ 51.33 грн
1000+ 41.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3U060CNTL1 RD3U060CNTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.8 грн
10+ 92.14 грн
100+ 62.41 грн
500+ 52.85 грн
1000+ 43.09 грн
2500+ 40.55 грн
5000+ 38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3U060CNTL1 RD3U060CNTL1 Виробник : ROHM datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.41 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.12 грн
10+ 103.29 грн
100+ 80.42 грн
500+ 61.79 грн
1000+ 45.01 грн
Мінімальне замовлення: 7