Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3U041AAFRATL
RD3U041AAFRATL

RD3U041AAFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3U041AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.69 грн
10+ 89.86 грн
100+ 69.9 грн
500+ 55.6 грн
1000+ 45.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3U041AAFRATL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RD3U041AAFRATL за ціною від 41.9 грн до 123.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3U041AAFRATL RD3U041AAFRATL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3U041AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 250V 4A TO-252, Automotive Power MOSFET
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.44 грн
10+ 99.78 грн
100+ 67.58 грн
500+ 57.42 грн
1000+ 46.77 грн
2500+ 44.02 грн
5000+ 41.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3U041AAFRATL RD3U041AAFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3U041AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній