RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor


rd3s075cntl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.3 грн
10+ 116.1 грн
100+ 93.29 грн
500+ 71.93 грн
1000+ 59.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 7.5A; Idm: 30A; 52W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 190V, Drain current: 7.5A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 52W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 347mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції RD3S075CNTL1 за ціною від 56.15 грн до 148.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 Виробник : ROHM Semiconductor rd3s075cntl1-e.pdf MOSFET Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.13 грн
10+ 132.23 грн
100+ 92.41 грн
500+ 75.48 грн
1000+ 62.71 грн
2500+ 58.34 грн
5000+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3S075CNTL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rd3s075cntl1-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 7.5A; Idm: 30A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 190V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 347mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3s075cntl1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
товар відсутній
RD3S075CNTL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rd3s075cntl1-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 7.5A; Idm: 30A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 190V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 347mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній