RD3P175SNFRATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 74.04 грн |
| 500+ | 58.42 грн |
| 1000+ | 43.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3P175SNFRATL ROHM
Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RD3P175SNFRATL за ціною від 43.86 грн до 129.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3P175SNFRATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252 |
на замовлення 1626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3P175SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3P175SNFRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RD3P175SNFRATL | Виробник : ROHM - Japan |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63; RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TRD3p175snfratl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
RD3P175SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
товар відсутній |