RD3P130SPTL1

RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RD3P130SPTL1 за ціною від 52.94 грн до 140.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.39 грн
10+ 103.18 грн
100+ 82.15 грн
500+ 65.23 грн
1000+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Виробник : ROHM Semiconductor rd3p130sptl_e-1873067.pdf MOSFET Pch -100V -13A TO-252(DPAK)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.99 грн
10+ 115.81 грн
100+ 80.57 грн
500+ 68.26 грн
1000+ 57.62 грн
2500+ 52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3