![RD3P100SNFRATL RD3P100SNFRATL](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO252-40.jpg)
RD3P100SNFRATL ROHM
![rd3p100snfratl-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 64.73 грн |
500+ | 51.95 грн |
1000+ | 36.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3P100SNFRATL ROHM
Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RD3P100SNFRATL за ціною від 36.76 грн до 124.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RD3P100SNFRATL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RD3P100SNFRATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RD3P100SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RD3P100SNFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar On-state resistance: 147mΩ Drain current: 10A Drain-source voltage: 100V Case: DPAK; TO252 Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
RD3P100SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
RD3P100SNFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar On-state resistance: 147mΩ Drain current: 10A Drain-source voltage: 100V Case: DPAK; TO252 Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |