RD3P02BATTL1 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
MOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.17 грн |
| 10+ | 96.79 грн |
| 100+ | 65.17 грн |
| 500+ | 55.24 грн |
| 1000+ | 47.19 грн |
| 2500+ | 39.99 грн |
| 10000+ | 39.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3P02BATTL1 ROHM Semiconductor
MOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications..
Інші пропозиції RD3P02BATTL1 за ціною від 94.96 грн до 122.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RD3P02BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|