Продукція > ROHM > RD3L220SNFRATL
RD3L220SNFRATL

RD3L220SNFRATL ROHM

rd3l220snfratl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L220SNFRATL ROHM

Description: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L220SNFRATL за ціною від 57.63 грн до 159.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3L220SNFRATL RD3L220SNFRATL Виробник : ROHM rd3l220snfratl-e.pdf Description: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.92 грн
12+ 70.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
RD3L220SNFRATL RD3L220SNFRATL Виробник : ROHM Semiconductor rd3l220snfratl_e-1873031.pdf MOSFETs Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.16 грн
10+ 119.63 грн
100+ 87.86 грн
250+ 80.83 грн
500+ 73.1 грн
1000+ 62.62 грн
2500+ 57.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L220SNFRATL RD3L220SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L220SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.66 грн
10+ 138.16 грн
100+ 111.01 грн
500+ 85.6 грн
1000+ 70.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L220SNFRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3L220SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3L220SNFRATL RD3L220SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L220SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3L220SNFRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3L220SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
товар відсутній