RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.34 грн |
| 10+ | 159.23 грн |
| 100+ | 110.35 грн |
| 250+ | 101.91 грн |
| 500+ | 92.07 грн |
| 1000+ | 79.42 грн |
| 2500+ | 75.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 80A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Case: DPAK; TO252, On-state resistance: 8.1mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 119W, Gate charge: 71nC, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції RD3L08BGNTL за ціною від 98.23 грн до 221.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RD3L08BGNTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 119W Gate charge: 71nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| RD3L08BGNTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 119W Gate charge: 71nC |
товар відсутній |