Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L080SNFRATL
RD3L080SNFRATL

RD3L080SNFRATL Rohm Semiconductor

rd3l080snfratl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
269+44.98 грн
292+ 41.29 грн
301+ 40.06 грн
500+ 37.15 грн
1000+ 33.12 грн
Мінімальне замовлення: 269
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L080SNFRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RD3L080SNFRATL за ціною від 29.94 грн до 109.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL Виробник : ROHM rd3l080snfratl-e.pdf Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.83 грн
500+ 42.39 грн
1000+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor rd3l080snfratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+83.9 грн
156+ 77.39 грн
250+ 70.37 грн
500+ 61.37 грн
1000+ 49.26 грн
Мінімальне замовлення: 144
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL Виробник : ROHM rd3l080snfratl-e.pdf Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+95.4 грн
12+ 68.75 грн
100+ 52.83 грн
500+ 42.39 грн
1000+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.48 грн
10+ 86.47 грн
100+ 67.24 грн
500+ 53.49 грн
1000+ 43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL Виробник : ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 8716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.88 грн
10+ 88.91 грн
100+ 60.09 грн
500+ 50.89 грн
1000+ 41.54 грн
2500+ 38.94 грн
5000+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L080SNFRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3L080SNFRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній