Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L01BATTL1
RD3L01BATTL1

RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor

rd3l01battl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
248+48.68 грн
258+ 46.73 грн
500+ 45.04 грн
Мінімальне замовлення: 248
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RD3L01BATTL1 за ціною від 26.52 грн до 84.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3l01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 237
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3l01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+55.75 грн
255+ 47.41 грн
298+ 40.58 грн
314+ 37.1 грн
500+ 32.11 грн
1000+ 28.93 грн
2500+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 217
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.55 грн
10+ 61.57 грн
100+ 47.88 грн
500+ 38.09 грн
1000+ 31.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V -10A Power MOSFET
на замовлення 33641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.46 грн
10+ 68.46 грн
100+ 46.25 грн
500+ 39.22 грн
1000+ 31.98 грн
2500+ 30.08 грн
5000+ 28.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L01BATTL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товар відсутній
RD3L01BATTL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній