![RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4fba44d794b3bd0a51b73ab67514cf5865156caa/to252-3.jpg)
RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
248+ | 48.68 грн |
258+ | 46.73 грн |
500+ | 45.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V.
Інші пропозиції RD3L01BATTL1 за ціною від 26.52 грн до 84.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RD3L01BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 33641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |