RD3H160SPFRATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 79.92 грн |
| 500+ | 62.68 грн |
| 1000+ | 47.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3H160SPFRATL ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RD3H160SPFRATL за ціною від 41.83 грн до 129.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3H160SPFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3H160SPFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3H160SPFRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3H160SPFRATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252 |
на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3H160SPFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RD3H160SPFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -32A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -45V Drain current: -16A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
RD3H160SPFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RD3H160SPFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -32A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -45V Drain current: -16A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |