Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G600GNTL
RD3G600GNTL

RD3G600GNTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3G600GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.5 грн
10+ 104.83 грн
100+ 83.42 грн
500+ 66.24 грн
1000+ 56.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G600GNTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V.

Інші пропозиції RD3G600GNTL за ціною від 54.02 грн до 143.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3G600GNTL RD3G600GNTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3G600GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs RD3G600GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching.
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.51 грн
10+ 117.47 грн
100+ 79.85 грн
250+ 74.81 грн
500+ 63.59 грн
1000+ 58.63 грн
2500+ 54.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G600GNTL RD3G600GNTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G600GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
товар відсутній