![RD3G03BATTL1 RD3G03BATTL1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5540/846_TO-252.jpg)
RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor
![datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 42.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RD3G03BATTL1 за ціною від 36.83 грн до 109.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RD3G03BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RD3G03BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V |
на замовлення 4832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RD3G03BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RD3G03BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Виробник : ROHM - Japan |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -35A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -35A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |