RD-100

RD-100 OSI Optoelectronics, Inc.


High-Breakdown-Fully-Depleted-Photodiodes.sflb.ashx Виробник: OSI Optoelectronics, Inc.
Description: SENSOR PHOTODIODE ANLG VOLT OUT
Packaging: Case
Wavelength: 950nm
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Response Time: 40ns
Sensor Type: Photodiode
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm
Active Area: 100mm²
Current - Dark (Typ): 2nA
Part Status: Active
на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6022.69 грн
10+ 5424.81 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD-100 OSI Optoelectronics, Inc.

Description: SENSOR PHOTODIODE ANLG VOLT OUT, Packaging: Case, Wavelength: 950nm, Output Type: Analog Voltage, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -20°C ~ 60°C, Response Time: 40ns, Sensor Type: Photodiode, Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm, Active Area: 100mm², Current - Dark (Typ): 2nA, Part Status: Active.

Інші пропозиції RD-100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD-100 RD-100 Виробник : Advanced Photonix DS_RD_100-3400660.pdf Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector
товар відсутній