![RCD100N20TL RCD100N20TL](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/93bb513032f47ff310e4c8088065fa7ecd13ed63/cpt3.jpg)
RCD100N20TL Rohm Semiconductor
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
345+ | 35.04 грн |
356+ | 33.91 грн |
360+ | 33.5 грн |
500+ | 31.82 грн |
1000+ | 28.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCD100N20TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 10A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RCD100N20TL за ціною від 54.61 грн до 76.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RCD100N20TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RCD100N20TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
RCD100N20TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |