![RBR20NS60ATL RBR20NS60ATL](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/846;LPDS;;3.jpg)
RBR20NS60ATL Rohm Semiconductor
![datasheet?p=RBR20NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 51.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBR20NS60ATL Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V.
Інші пропозиції RBR20NS60ATL за ціною від 47.33 грн до 119.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RBR20NS60ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RBR20NS60ATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|