RAF040P01TCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 6 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.7 грн |
| 6000+ | 11.61 грн |
| 9000+ | 10.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RAF040P01TCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RAF040P01TCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RAF040P01TCL за ціною від 10.37 грн до 45.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RAF040P01TCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RAF040P01TCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RAF040P01TCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 6 V |
на замовлення 18988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RAF040P01TCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs MOSFET P-CH 1.5V 4A |
на замовлення 10450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RAF040P01TCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RAF040P01TCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RAF040P01TCL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| RAF040P01TCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -16A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -16A Case: TUMT3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -4A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RAF040P01TCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -16A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -16A Case: TUMT3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -4A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |