![RA1C030LDT5CL RA1C030LDT5CL](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3705/MFG_RA1C030LDT5CL.jpg)
RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor
![datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +7V, -0.2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 14849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.93 грн |
11+ | 26.87 грн |
100+ | 18.63 грн |
500+ | 13.66 грн |
1000+ | 11.1 грн |
2000+ | 9.92 грн |
5000+ | 9.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DSN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): +7V, -0.2V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RA1C030LDT5CL за ціною від 9.42 грн до 35.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RA1C030LDT5CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 29400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RA1C030LDT5CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DSN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +7V, -0.2V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V |
товар відсутній |