R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 770W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 100 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1159.46 грн |
| 30+ | 904.07 грн |
| 120+ | 850.88 грн |
| 510+ | 723.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: 600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 35A, 15V, Power Dissipation (Max): 770W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247G, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6070JNZ4C13 за ціною від 732.38 грн до 1242.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6070JNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V 70A TO-247, PrestoMOS with integrated high-speed diode |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|