R6050JNZC17 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6050JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.064 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 695.42 грн |
| 5+ | 613.42 грн |
| 10+ | 530.63 грн |
| 50+ | 478.09 грн |
| 100+ | 427.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6050JNZC17 ROHM
Description: ROHM - R6050JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.064 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6050JNZC17 за ціною від 460.37 грн до 848.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6050JNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 25A, 15V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 100 V |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6050JNZC17 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V 50A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|