![R6047ENZ4C13 R6047ENZ4C13](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/28e6ae709bb3e4b4530160963f8b515fd2097c3d/r6520knz4c13.jpg)
R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 526.64 грн |
26+ | 469.26 грн |
50+ | 455.95 грн |
100+ | 416.93 грн |
200+ | 373.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6047ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.066 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6047ENZ4C13 за ціною від 654.36 грн до 1107 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6047ENZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
R6047ENZ4C13 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
R6047ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
R6047ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |