R6042JNZ4C13 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6042JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 495W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 553.91 грн |
| 5+ | 489.82 грн |
| 10+ | 425.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6042JNZ4C13 ROHM
Description: ROHM - R6042JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 495W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6042JNZ4C13 за ціною від 473.37 грн до 911.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6042JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6042JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 21A, 15V Power Dissipation (Max): 495W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6042JNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET R6042JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6042JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R6042JNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; Idm: 126A; 495W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 495W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| R6042JNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; Idm: 126A; 495W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 495W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |