R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 286.75 грн |
| 45+ | 274.43 грн |
| 50+ | 263.98 грн |
| 100+ | 245.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції R6027YNZ4C13 за ціною від 193.79 грн до 591.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6027YNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching. |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6027YNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6027YNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6027YNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|