R6015FNX Rohm Semiconductor
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 289.42 грн |
| 44+ | 276.98 грн |
| 50+ | 266.43 грн |
| 100+ | 248.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6015FNX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6015FNX за ціною від 208.05 грн до 500.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6015FNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FMPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6015FNX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6015FNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V |
товар відсутній |