R6012JNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 118+ | 103.85 грн |
| 128+ | 95.64 грн |
| 132+ | 93.04 грн |
| 500+ | 84.91 грн |
| 1000+ | 77.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6012JNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6012JNXC7G за ціною від 122.74 грн до 317.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6012JNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6012JNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6012JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 36A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 390mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
R6012JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 36A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 390mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |