![R6011KNXC7G R6011KNXC7G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5722/MFG_846~TO220FM~FU~3.jpg)
R6011KNXC7G Rohm Semiconductor
![datasheet?p=R6011KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 158.14 грн |
50+ | 120.82 грн |
100+ | 103.55 грн |
500+ | 95.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6011KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6011KNXC7G за ціною від 104.73 грн до 253.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6011KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
R6011KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 33A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A On-state resistance: 720mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
R6011KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP Power dissipation: 53W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 33A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A On-state resistance: 720mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |