R6007JNXC7G ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.48 грн |
| 10+ | 97.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6007JNXC7G ROHM
Description: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6007JNXC7G за ціною від 89.26 грн до 214.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6007JNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6007JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|