на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 101.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6007JNJGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6007JNJGTL за ціною від 100.13 грн до 206.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6007JNJGTL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6007JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6007JNJGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| R6007JNJGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: D2PAK On-state resistance: 780mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Gate charge: 17.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
R6007JNJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. |
товар відсутній |
|||||||||||
| R6007JNJGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: D2PAK On-state resistance: 780mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Gate charge: 17.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A |
товар відсутній |