![R6006KND3TL1 R6006KND3TL1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/66fc5692c6e9ff2b273e48e2560b8b6273e8b0bd/to-252.jpg)
R6006KND3TL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 80.5 грн |
157+ | 76.9 грн |
250+ | 73.81 грн |
500+ | 68.61 грн |
1000+ | 61.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6006KND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6006KND3TL1 за ціною від 61.5 грн до 158.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6006KND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
R6006KND3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
R6006KND3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 70W Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
R6006KND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
R6006KND3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 70W Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A |
товар відсутній |