![R6006JNJGTL R6006JNJGTL](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f5942a632475520f45e3cbaf874dfce057f781b7/lpts.jpg)
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
98+ | 123.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6006JNJGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6006JNJGTL за ціною від 91.4 грн до 180.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6006JNJGTL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
R6006JNJGTL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
R6006JNJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |