QSB363YR onsemi / Fairchild
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.16 грн |
| 10+ | 42.93 грн |
| 100+ | 23.85 грн |
| 500+ | 23.15 грн |
| 1000+ | 19.26 грн |
| 2000+ | 17.31 грн |
| 10000+ | 17.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QSB363YR onsemi / Fairchild
Description: SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 2SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Yoke Bend, Wavelength: 940nm, Mounting Type: Surface Mount, Orientation: Top View, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, Viewing Angle: 24°, Current - Dark (Id) (Max): 100 nA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 75 mW.
Інші пропозиції QSB363YR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| QSB363YR | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - QSB363YR - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
QSB363YR | Виробник : ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4 T/R |
товар відсутній |
|
 |
QSB363YR | Виробник : ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4 T/R |
товар відсутній |
|
 |
QSB363YR | Виробник : onsemi |
Description: SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 2SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Yoke Bend Wavelength: 940nm Mounting Type: Surface Mount Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Viewing Angle: 24° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 75 mW |
товар відсутній |
|
|
|
QSB363YR | Виробник : onsemi |
Description: SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 2SMD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Yoke Bend Wavelength: 940nm Mounting Type: Surface Mount Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Viewing Angle: 24° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 75 mW |
товар відсутній |