![QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/7271bbcf75e5ea99ee6dde147b625dd6efd4c022/tsmt8.jpg)
QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
304+ | 39.76 грн |
316+ | 38.16 грн |
500+ | 36.79 грн |
1000+ | 34.32 грн |
2500+ | 30.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції QS8M51HZGTR за ціною від 23.05 грн до 74.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QS8M51HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8M51HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8M51HZGTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8M51HZGTR | Виробник : ROHM |
![]() productTraceability: No rohsCompliant: YES Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8M51HZGTR | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8M51HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |