на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 343+ | 35.17 грн |
| 358+ | 33.76 грн |
| 500+ | 32.54 грн |
| 1000+ | 30.35 грн |
| 2500+ | 27.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8K13TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 550mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QS8K13TCR за ціною від 27.27 грн до 97.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QS8K13TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS8K13TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS8K13TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 550mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS8K13TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 550mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS8K13TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QS8K13TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; Idm: 18A; 1.5W; TSMD8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1.5W Case: TSMD8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| QS8K13TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; Idm: 18A; 1.5W; TSMD8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1.5W Case: TSMD8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |