QS8J2TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8J2TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 550mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QS8J2TR за ціною від 23.69 грн до 78.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS8J2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS8J2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 550mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS8J2TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS8J2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS8J2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| QS8J2TR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| QS8J2TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -4A; Idm: -12A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 132mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| QS8J2TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -4A; Idm: -12A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 132mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |