![QS6K1TR QS6K1TR](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/429a99502ea4402efcb96f10b02ad3ba8ccc3a2d/tsmt6.jpg)
на замовлення 14303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
883+ | 13.66 грн |
1053+ | 11.45 грн |
1112+ | 10.85 грн |
2000+ | 10.37 грн |
3000+ | 9.15 грн |
6000+ | 8.43 грн |
12000+ | 7.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS6K1TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції QS6K1TR за ціною від 15.08 грн до 49.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS6K1TR | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS6K1TR | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS6K1TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 26752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
QS6K1TR | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 27010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
QS6K1 TR | Виробник : ROHM | SOT23-4 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
QS6K1 TR | Виробник : ROHM | SOT26 |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
QS6K1TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товар відсутній |