на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.16 грн |
| 10+ | 34.35 грн |
| 100+ | 20.8 грн |
| 500+ | 16.31 грн |
| 1000+ | 13.21 грн |
| 3000+ | 11.18 грн |
| 9000+ | 10.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5U34TR ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, Pulsed drain current: 3A, Power dissipation: 1.25W, Case: TSOT25, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.31Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції QS5U34TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
QS5U34TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 1.25W Case: TSOT25 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
QS5U34TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
товар відсутній |
|
|
|
QS5U34TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
товар відсутній |
|
|
|
QS5U34TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 1.25W Case: TSOT25 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |