Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT651T1G
PZT651T1G

PZT651T1G ON Semiconductor

pzt651t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+11.23 грн
2000+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 8.93 грн до 44.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.09 грн
2000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.82 грн
2000+ 12.76 грн
5000+ 12.11 грн
10000+ 10.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ONSEMI 1796582.pdf Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.31 грн
500+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
482+25.09 грн
583+ 20.74 грн
698+ 17.33 грн
1000+ 13.66 грн
2000+ 10.81 грн
25000+ 9.72 грн
50000+ 9.62 грн
Мінімальне замовлення: 482
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.91 грн
26+ 23.3 грн
100+ 19.26 грн
500+ 15.52 грн
1000+ 11.75 грн
2000+ 9.64 грн
25000+ 9.02 грн
50000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.64 грн
25+ 30.38 грн
100+ 28.28 грн
250+ 25.25 грн
500+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
370+32.71 грн
383+ 31.58 грн
397+ 30.45 грн
500+ 28.27 грн
Мінімальне замовлення: 370
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.2 грн
10+ 32.38 грн
100+ 22.49 грн
500+ 16.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi PZT651T1_D-2319795.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN
на замовлення 13898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.08 грн
10+ 34.22 грн
100+ 21.6 грн
500+ 16.87 грн
1000+ 13.59 грн
2000+ 11.08 грн
25000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.33 грн
22+ 37.21 грн
100+ 24.31 грн
500+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній