![PZT2222AT1G PZT2222AT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/accd52967ad9d8ab8470e9a44e86b94769617969/3sot-223.jpg)
PZT2222AT1G ON Semiconductor
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7000+ | 8.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PZT2222AT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PZT2222AT1G за ціною від 2.65 грн до 34.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 120223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 7905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7905 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 120557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 27743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
PZT2222AT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PZT2222AT1G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G Код товару: 110550 |
![]() |
товар відсутній
|