PXP1500-100QSJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.46 грн |
| 6000+ | 11.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP1500-100QSJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PXP1500-100QSJ за ціною від 10.17 грн до 43.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PXP1500-100QSJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP1500-100QSJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 50 V |
на замовлення 9417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP1500-100QSJ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PXP1500-100QS/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 5853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP1500-100QSJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PXP1500-100QSJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PXP1500-100QSJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PXP1500-100QSJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товар відсутній |