PXP018-30QLJ

PXP018-30QLJ Nexperia USA Inc.


PXP018-30QL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.4 грн
13+ 24.17 грн
100+ 16.84 грн
500+ 12.34 грн
1000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXP018-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXP018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.7 A, 0.018 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PXP018-30QLJ за ціною від 8.43 грн до 43.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PXP018-30QLJ PXP018-30QLJ Виробник : Nexperia PXP018_30QL-3162527.pdf MOSFET PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.79 грн
12+ 27.01 грн
100+ 17.49 грн
500+ 13.73 грн
1000+ 10.66 грн
3000+ 9.69 грн
9000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
PXP018-30QLJ Виробник : NEXPERIA PXP018-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXP018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.7 A, 0.018 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.87 грн
500+ 14.74 грн
1000+ 9.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
PXP018-30QLJ Виробник : NEXPERIA PXP018-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXP018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.7 A, 0.018 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+43.31 грн
23+ 34.24 грн
100+ 20.87 грн
500+ 14.74 грн
1000+ 9.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
PXP018-30QLJ PXP018-30QLJ Виробник : Nexperia USA Inc. PXP018-30QL.pdf Description: PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
товар відсутній