PUMD3,115 NEXPERIA
на замовлення 82980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMD3,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: PUMD3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PUMD3,115 за ціною від 1.3 грн до 18.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: PUMD3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180...230MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: PUMD3 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180...230MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: PUMD3 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 239115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PUMD3/SOT363/SC-88 |
на замовлення 234234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 340400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PUMD3,115 | Виробник : NXP |
NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD3,115 NXP TPUMD3 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PUMD3,115 Код товару: 100246 |
Мікросхеми > Транзисторні збірки |
товар відсутній
|