Продукція > NEXPERIA > PTVS8V0P1UTP,115
PTVS8V0P1UTP,115

PTVS8V0P1UTP,115 NEXPERIA


PTVSXP1UTP_SER.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PTVS8V0P1UTP,115 - TVS-Diode, PTVSxP1UTP, Unidirektional, 8 V, 13.6 V, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 8.89V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 9.83V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PTVSxP1UTP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Klemmspannung, max.: 13.6V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.68 грн
33+ 24.31 грн
100+ 18.22 грн
500+ 15.68 грн
1000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PTVS8V0P1UTP,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PTVS8V0P1UTP,115 - TVS-Diode, PTVSxP1UTP, Unidirektional, 8 V, 13.6 V, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128), rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 8.89V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 9.83V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 8V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 600W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PTVSxP1UTP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 185°C, Klemmspannung, max.: 13.6V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції PTVS8V0P1UTP,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PTVS8V0P1UTP,115 PTVS8V0P1UTP,115 Виробник : NEXPERIA 2116610505622649ptvsxp1utp_ser.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 8V 600W 2-Pin CFP5 T/R
товар відсутній
PTVS8V0P1UTP,115 PTVS8V0P1UTP,115 Виробник : NEXPERIA PTVSXP1UTP_SER.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 9.36V; 44.1A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Operating temperature: max. 185°C
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SOD128F
Max. off-state voltage: 8V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 44.1A
Breakdown voltage: 9.36V
Leakage current: 30nA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PTVS8V0P1UTP,115 PTVS8V0P1UTP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PTVSXP1UTP_SER.pdf Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TA)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 44.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.89V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PTVS8V0P1UTP,115 PTVS8V0P1UTP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PTVSXP1UTP_SER.pdf Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TA)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 44.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.89V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PTVS8V0P1UTP,115 PTVS8V0P1UTP,115 Виробник : Nexperia PTVSXP1UTP_SER-2938929.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes PTVS8V0P1UTP/SOD128/FlatPower
товар відсутній
PTVS8V0P1UTP,115 PTVS8V0P1UTP,115 Виробник : NEXPERIA PTVSXP1UTP_SER.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 9.36V; 44.1A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Operating temperature: max. 185°C
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Case: SOD128F
Max. off-state voltage: 8V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 44.1A
Breakdown voltage: 9.36V
Leakage current: 30nA
товар відсутній