![PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ](https://www.mouser.com/images/nexperia/lrg/Nexperia_SOT1061_DFN2020-3_SPL.jpg)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.07 грн |
12+ | 27.33 грн |
100+ | 16.24 грн |
500+ | 12.68 грн |
1000+ | 8.57 грн |
3000+ | 7.18 грн |
9000+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PTVS10VU1UPAZ Nexperia
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.3kW, Max. off-state voltage: 10V, Breakdown voltage: 11.7V, Max. forward impulse current: 148A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DFN3, Mounting: SMD, Leakage current: 2µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PTVS10VU1UPAZ за ціною від 13.68 грн до 36.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PTVS10VU1UPAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
PTVS10VU1UPAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.3kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.7V Max. forward impulse current: 148A Semiconductor structure: unidirectional Case: DFN3 Mounting: SMD Leakage current: 2µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
PTVS10VU1UPAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
PTVS10VU1UPAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.3kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.7V Max. forward impulse current: 148A Semiconductor structure: unidirectional Case: DFN3 Mounting: SMD Leakage current: 2µA |
товар відсутній |