![PTVS10VP1UTP,115 PTVS10VP1UTP,115](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A9/24/60/00/0/410266_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=53e6259ac878444c1ff4a3a31b4a53ac077a217c)
PTVS10VP1UTP,115 NEXPERIA
![PTVSXP1UTP_SER.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 11.7V; 35.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.7V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PTVS10VP1UTP,115 NEXPERIA
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 11.7V; 35.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 10V, Breakdown voltage: 11.7V, Max. forward impulse current: 35.3A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: SOD128F, Mounting: SMD, Leakage current: 5nA, Operating temperature: max. 185°C, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PTVS10VP1UTP,115
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
PTVS10VP1UTP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
PTVS10VP1UTP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
PTVS10VP1UTP,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
PTVS10VP1UTP,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 11.7V; 35.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.7V Max. forward impulse current: 35.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 5nA Operating temperature: max. 185°C |
товар відсутній |