Технічний опис PTFA092213ELV4R0XTMA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET LDMOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Frequency: 920MHz ~ 960MHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 220W, Gain: 17.5dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Voltage - Rated: 30 V.
Інші пропозиції PTFA092213ELV4R0XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| PTFA092213ELV4R0XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF MOSFET LDMOSPackaging: Tape & Reel (TR) Frequency: 920MHz ~ 960MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 220W Gain: 17.5dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Voltage - Rated: 30 V |
товар відсутній |
||
| PTFA092213ELV4R0XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors |
товар відсутній |