PSMNR60-25YLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 94.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR60-25YLHX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMNR60-25YLHX за ціною від 76.66 грн до 199.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR60-25YLHX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMNR60-25YLH/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMNR60-25YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V |
на замовлення 4015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMNR60-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMNR60-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1758A Power dissipation: 268W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.82mΩ Mounting: SMD Gate charge: 147nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMNR60-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1758A Power dissipation: 268W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.82mΩ Mounting: SMD Gate charge: 147nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |