![PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2304/MFG_1727%3BSOT1210%3B%3B8_LFPAK33.jpg)
PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc.
![PSMN8R5-40MSD.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 24.15 грн |
3000+ | 20.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0074 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMN8R5-40MSDX за ціною від 16.93 грн до 56.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 5433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 239A Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A On-state resistance: 16.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 239A Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A On-state resistance: 16.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |